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首頁 > 超級電鏡中心
生物電鏡樣品制備及表征服務 北京電鏡基地資料下載 無錫電鏡基地資料下載
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  • 主營業務
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電鏡技術是研究材料的最基礎和最重要的手段之一，同時也是米格實驗室技術矩陣中的重要組成部分，包含了:

掃描電鏡技術

透射電鏡技術

聚焦離子束（FIB）技術

電鏡樣品的制備技術

1.常規檢測預約服務（EM Instrument Booking）

提供全國多區域、多種電鏡儀器的機時預約與服務，包括掃描及透射的制樣、觀察及分析，提高檢測效率、縮短時間

2.高端電鏡整包服務（Whole Package Service）

提供專業的FIB+SEM、FIB+TEM、FIB+球差透射電鏡的技術服務需求，從方案設計到數據分析一站式服務

3.電鏡技術咨詢服務（Consulting Service）

為高水平的研發及科研提供電鏡整體咨詢與解決方案、與電鏡專家合作開發產品或者共同署名發表高水平文章。

米格實驗室-超級電鏡中心基本形成全國的服務網絡：

包含北京電鏡基地、天津基地、無錫基地、上?；?，以及太原、合肥、廈門、深圳、廣州、長沙、西安、包頭、呼和浩特等區域實驗室，可滿足客戶的一站式需求。

  • 設備一
  • 設備二
  • 設備三
  • 設備四
  • 設備五
  • 設備六
  • 設備七
  • 設備八
  • 設備九
設備名稱：聚焦離子束-電子束雙束系統FIB-SEM FEI Scios 2 DualBeam（北京）

型號：FEI Scios 2

技術指標：

1.電子束電流范圍：1 pA - 400 nA；

2.電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式

3.電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)

4.大束流Sidewinder離子鏡筒；

5.離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；

6.離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌；

配置情況：

1.GIS氣體注入：Pt沉積

2.Easylift納米機械手（精度<500nm）

3.ETD SE、T1（筒內低位）、T（高位）探頭

4.Nav-camTM：樣品室內光學導航相機

5.AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動拼圖、NanoBuilder納米加工軟件

適用樣品：

半導體、金屬、陶瓷材料截面加工及透射樣品制備

設備簡介： FEI Scios 2 DualBeam系統在Scios系統的基礎上進行了升級，更加適用于金屬、復合材料和涂層，特點是適用磁性樣品、借助漂移抑制對不導電的樣品可以進行操作、Trinity檢測套件可同步檢測材料、形態和邊緣對比對度，大大提高效率、軟件可以實現三維數據立方體分析金屬中夾雜物大小和分布、獨有的工作流模式，可以設定程序，降低操作員的難度。在超大樣品倉中集成了大尺寸的五軸電動樣品臺，XY軸具有110mm移動范圍，Z方向具有85mm升降空間。
預約與收費標準:
機時：2000h/年，服務時效：3~5天，配備專業工程師；
1.FIB加工
SEM-FIB 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
SEM-FIB加工 X＜20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45,000
SEM-FIB加工 50 1300 65,000
SEM-FIB加工 100 1000 10,0000
2.TEM制樣
TEM制樣 數量（pcs） 單價（元） 總價（元）
FIB制樣 X＜10 5,000 5,000*X
FIB制樣 10 4,000 40,000
FIB制樣 20 3,500 70,000
3.SEM制樣
SEM形貌 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
SEM形貌分析 X＜10 6,00 600*X
SEM形貌分析 10 5,00 5,000
SEM形貌分析 50 350 15,000
設備簡介：

（a）嚴禁對磁性粉末樣品進行觀察

（b）粉末無磁性樣品必須用洗耳球或氮氣槍進行多次吹洗，否則不允許進行觀察

設備名稱：JEM-ARM200F冷場發射雙球差校正掃描透射電鏡（北京）

型號：JEM ARM 200F

技術指標：

1.分辨率：STEM <0.078 nm；TEM<0.11 nm

2.放大倍數：STEM 200 to 150,000,000x TEM 50 to 2,000,000x

3.加速電壓： 80kV,200 kV

配置情況：

1.STEM-EELS+STEM-EDS

2.JEOL STEM Detector（BF/ABF/HAADF）

3.Gatan STEM Detectors(for EELS)

4.聚光鏡與物鏡雙球差校正器

擅長樣品：

單原子催化、納米粉體、半導體多層膜、金屬材料、鋰電池材料

ARM 200F在保證亞納米分辨率0.078nm的同時，能量分辨率提高到0.3eV，極大增強了原子級觀察和原子級分析能力?，F在米格實驗室新增的這臺Grand-ARM 200F配置更加高端，堪稱一件分析“利器”。
Arm200F共有兩臺儀器:
總體機時數量：200h/年+500/年，購置后可以預約，預約周期1~2周
球差電鏡 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
ACTEM Arm200F X<10 3500 3500*X
ACTEM Arm200F 10 3000 30,000
ACTEM Arm200F 20 2500 50,000
ACTEM Arm200F 50 2000 100,000
設備名稱：場發射透射電子顯微鏡F20 HRTEM（北京）

型號：FEI F20 HRTEM

技術指標：

1.放大倍數：25倍到105萬倍

2.加速電壓：200kV

3.點分辨率：0.24nm，STEM分辨率0.19nm

4.能譜能量分辨率 129eV, 元素測量范圍 Be-U

服務內容：

1.高分辨透射像 HRTEM

2.明場像/暗場像 BF/DF

3.選區電子衍射 SAED

4.高角環形暗場像 HAADF-STEM

5.能譜 EDS

FEI F20 HRTEM總體機時數量：1000h/年，購置后可預約，周期：1周
高分辨率透射電鏡 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
FEI F20 HRTEM X<10 900 900*X
FEI F20 HRTEM 10 800 8,000
FEI F20 HRTEM 50 700 35,000
FEI F20 HRTEM 100 600 60,000
HR透射樣制備：
HRTEM樣品制備質量要求相對較高，可以打包采購，可以優惠
TEM制樣 數量（pcs） 單價（元） 總價（元）
FIB HRTEM樣 X<10 5,000 5,000*X
FIB HRTEM樣 10 4,000 40,000
FIB HRTEM樣 20 3,500 70,000
設備名稱：場發射透射電子顯微鏡F30 HRTEM（北京）

型號： Tecnai G2 F30 S-TWIN

技術指標：

1.放大倍數：200倍到100萬倍

2.加速電壓：300kV,肖特基電子槍

3.點分辨率：0.205nm,線分辨率0.102nm,STEM分辨率0.16nm

4.EELS分辨率：0.65eV

5.能譜能量分辨率 136eV, 元素測量范圍 Be-U

服務內容：

1.Gatan電子能量過濾系統（GIF）

2.EDS能譜儀 X－射線能譜儀

3.STEM-HAADF高角環形暗場探頭

4.Gatan894Ultriscan相機

5.Gatan994Ultriscan相機

6.Lorentz 電磁透鏡

擅長領域：

金屬材料的透射電鏡，包括高溫、高熵各種合金

FEI F30 HRTEM總體機時數量：1000h/年，購置后可預約，周期：1周
高分辨率透射電鏡 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
FEI F30 HRTEM X<10 1000 1000*X
FEI F30 HRTEM 10 800 8,000
FEI F30 HRTEM 50 700 35,000
FEI F30 HRTEM 100 600 60,000
設備名稱：聚焦離子束-氦離子顯微鏡（FIB-HIM）（北京）

型號：Zeiss Orion NanoFab

技術指標：

1.Ga離子束：分辨率3nm；最薄切片：3nm（切割束）

2.Ga離子束束流：1pA-100nA，加速電壓1-30kV

3.氖離子束：分辨率1.9 nm；（切割束）

4.氖離子束：束流0.1-50 pA，加速電壓10-30kV

5.氦離子束：分辨率0.5nm（成像束）

6.氦離子束：束流0.1-100pA，加速電壓：10-40kV

服務內容：

1.配備3D自動切片-成像軟件

2.配備有Pt、C等輔助沉積材料

擅長服務

礦物、巖石、有機質等超高分辨三維重構

ORION NanoFab聚焦離子束—氦（氖）離子束顯微鏡，是一款集高分辨氦離子顯微鏡（HIM）的成像功能和聚焦離子束（FIB)和氖離子束（Ne ion beam）的切割功能為一體三束系統，可以進行二維超高分辨率、亞10nm有機孔隙高分辨成像、大面積二維超高分辨二次電子成像、三維空間結構、礦物組成及分布、三維空間有機質分布及TOC、三維孔隙分布。核心特點：氖離子束成像具有極高的分辨率，在3D重構方便不同區域具有很好的襯度，明顯優于普通電子束成像，氖離子切割比Ga離子具有更小的損傷，可以加工有機質材料。
總體機時數量：500h/年，購置后可以預約，預約周期7~10天。
1）常規加工：
FIB-HIM三束系統 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
FIB-HIM加工 X<20 2000 2000*X
FIB-HIM加工 30 1500 45000
FIB-HIM加工 50 1100 55000
2）成像及三維重構：
FIB-HIM三束系統 數量（pcs） 單價（元） 總價（元）
FIB-HIM成像 X 1,000 1,000*X
FIB-HIM 3D重構 X（pcs） 20000/樣 20000*X
FIB-HIM 3D重構 X（pcs） 25000（500張圖片內） 25000*X（500~1000張圖）
設備名稱：聚焦離子束系統FIB- Zeiss CrossBeam 540（北京）

型號：Zeiss Cross Beam 540

技術指標：

1.離子束分辨率<3nm、束流1pA-100nA、加速電壓0.5-30kV，薄片厚度可到3nm、配備3D自動切片成像軟件

2.電子束：分辨率0.9nm@15kV、加速電壓0.02-30kV、放大倍數12-200萬

3.配置情況：EDS、EBSD、二次電子探測器等

4.沉積及輔助刻蝕材料：Pt、C

5.納米機械手

Zeiss CrossBeam FIB主要功能包括高分辨二次電子成像、高分辨背散射電子圖形、三維空間礦物組成及分布、三維空間有機質分布及TOC、三維孔隙分布、連通性、孔徑及孔隙度、切割薄片厚度可以到3nm、寬度達到100um的三維結構成像、透射電鏡樣品制備、2D和3D EDS圖像、2D和3D EBSD圖像，SEM具備自動拼圖功能，可以拼接出單張cm尺度、高分辨的圖像。
聚焦離子束-掃描電子顯微鏡總體機時數量：700h/年，購置后可以預約，預約周期1周
1）常規加工：
SEM-FIB 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
SEM-FIB加工 X<20 1500 1500*X
SEM-FIB加工 30 1300 39000
SEM-FIB加工 50 1100 55000
2）TEM制樣：
TEM制樣 數量（pcs） 單價（元） 總價（元）
FIB制樣 X<10 5,000 5,000*X
FIB制樣 10 4000 40000
FIB制樣 20 3500 70000
設備名稱：XL30 S-FEG場發射掃描電鏡（北京）

型號：XL30 S-FEG

技術指標：

1.最高成像分辨率1.5nm

2.加速電壓：200V-30kV

3.放大倍數：80倍-80萬倍

4.工作距離：1-50mm

5.傾斜角度：-10度-45度

6.分辨率：130eV

7.分析范圍:B-U

XL30 S-FEG掃描電鏡總體機時數量：1000 h/年；預約周期3-5天
SEM 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
XL30 S-FEG X<30 500 500*X
XL30 S-FEG 50 400 20000
XL30 S-FEG 100 300 30000
XL30 S-FEG 200 260 52000
備注：
上述儀器，一次性購買超過100 h的客戶可以免費培訓一名學生或員工操作，如需要工程師給與操作在報價的基礎上加收人工費100/h。
設備名稱：常規及冷凍超薄切片電鏡樣品制備（北京）

型號：萊卡Lecia UCT&EM FCS&TRIMEM

技術指標：

1.切片厚度：lnm—15Um

2.落射光,背景光,透射光照明

3.顯微鏡放大10X-60X

配置情況：

常溫超薄切片

低溫冷凍超薄切片

修塊機、制刀機等

擅長樣品：

生物醫學樣品（如：動植物組織、細胞、臨床手術樣品）及部分材料

本模塊為生物電鏡樣品制備，包括環境掃描及透射電鏡樣品制備，包含了常溫、低溫冷凍超薄切片機、樹脂包埋修塊機、制刀機等相關設備，同時還具有樣品染色能力?？梢酝瓿桑海?）常溫下將樣品切成50-80納米級超薄切片，以適用于透射電鏡樣品觀察；（2）在冷凍狀態下對不需要強固定的新鮮組織樣品及部分軟組織材料進行超薄切片（3）將樹脂包埋樣品外多余樹脂切除，暴露樣品，并修整成特定的型態為后續切片做準備；（4）制備適合半薄切片及超薄切片使用的玻璃刀
生物電鏡樣品制備：總共機時500/年，制樣周期為2周
測試項目 價格 備注
環境掃描電鏡 800元/小時 Quanta FEG250
生物樣品透射電鏡 800元/小時 Tecnai G20
生物透射樣品制備 1500元/樣品 如需樣品盒150元/個
冷凍超薄切片透射樣制備 2000元/樣品 特殊樣品價格面議
設備名稱：高分辨場發射透射電鏡 FEI Talos 200X（呼和浩特）

型號：Titan Cubed Themis G2 300

技術指標：

1.TEM模式的點分辨率：優于0.25 nm (200 kV)

2.STEM點分辨率：優于0.16 nm (200 kV)

3.極靴間距不小于 5 mm

4.在200kV時的結構三維重構的空間分辨率優于1 nm

5.在200kV時的成分三維重構的空間分辨率優于2 nm

配置情況：

具備EDS能譜儀系統

高角度環形暗場（HAADF）、環形明場（ABF）、能譜（EDS）等

擅長領域：

單原子催化、納米、金屬材料的透射分析

Talos F200X的STEM模式和TEM模式適用于對無機材料結構進行高分辨表征和分析，除了常規的形貌、成分、衍射分析，主要擅長金屬樣品，尤其是鋁鎂合金等樣品的透射電鏡觀察；可用于材料、化學化工、半導體、地質學、生物學、物理學等領域
Talos F200X 總體機時數量：500h/年，購置后可預約，周期：1周
球差電鏡 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
Talos F200X X<10 1000 1000*X
Talos F200X 10 900 9000
Talos F200X 20 800 16000
Talos F200X 50 700 35000
  • 設備一
  • 設備二
  • 設備三
設備名稱：聚光鏡球差校正透射電鏡（Themis Z）（無錫）

型號：FEI Themis Z

技術指標：

1.60 kV - 300 kV

2.≤100pm@300kV(TEM)

3.≤60pm@300kV(STEM)（聚光鏡校正）

4.電壓范圍：80kV\200kV\300kV

5.可選的“最高產量”或“最干凈”的 EDX 提供滿足任何表征需求的解決方案

6.增強的可用性和成像靈活性，讓可成像的樣品范圍更廣泛

配置情況：

1.CCD，利用 4k x 4k Ceta 16M 瞬時縮放鏡頭，以最快的速度從介觀長度尺度導航至原子長度尺度

2.STEM、Super EDS系統

擅長樣品：

石墨烯等二維材料、納米材料及半導體樣品

Themis Z 型球差校正透射電鏡出色的性能可以輕松獲取原子信息，更快獲取結果，獲得精致的S/TEM 圖像質量，具有強大的分析能力。它的分辨率無論是透射模式還是掃描透射模式下，都可以在大樣品倉下保證60pm的點分辨率，是業界最高的分辨率。
FEI Themis Z 總體機時數量：50周/年，每周1天，購置后可以預約，預約周期1周
球差電鏡 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
FEI Themis Z X<10 3500 3500*X
FEI Themis Z 10 3000 30,000
FEI Themis Z 20 2500 50,000
FEI Themis Z 50 2000 100,000
樣品要求： （a）嚴禁對磁性樣品進行觀察，樣品必須用磁鐵進行逐一檢查， （b）粉末無磁性樣品必須用洗耳球或氮氣槍進行多次吹洗，否則不允許進行觀察。
設備名稱：聚焦離子束系統FIB- FEI Scios DualBeam（無錫）

型號：FEI Scios DualBeam

技術指標：

1.電子束電流范圍：1 pA - 250 nA；

2.電子束電壓：200 eV – 30 keV

3.電子束分辨率：1.0 nm (30 keV)、1.6 nm(1 keV)

4.離子束分辨率：3.0 nm

配置情況：

1.金屬源：pt，C

2.配備能譜

3.具有C、Pt等氣體

4.配置機械手

擅長樣品：

半導體、金屬、陶瓷材料截面加工及透射樣品制備

Scios DualBeam系統適用于金屬、復合材料和涂層，特點是適用磁性樣品、借助漂移抑制對不導電的樣品可以進行操作、Trinity檢測套件可同步檢測材料、形態和邊緣對比對度，大大提高效率、軟件可以實現三維數據立方體分析金屬中夾雜物大小和分布、獨有的工作流模式，可以設定程序，降低操作員的難度。
機時：每周2天，總機時數量：50周，預約周期3~5天內
1）常規加工
SEM-FIB 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
SEM-FIB加工 X<20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45000
SEM-FIB加工 50 1300 65000
2）TEM制樣
TEM制樣 數量 單價（元） 總價（元）
TEM制樣 X<10 5000 5000*X
TEM制樣 10 4000 4000
TEM制樣 20 3500 70000
樣品要求： （a）嚴禁對磁性粉末樣品進行觀察（b）粉末無磁性樣品必須用洗耳球或氮氣槍進行多次吹洗，否則不允許進行觀察。
設備名稱：聚焦離子束系統FIB- FEI Helios 600i（合肥）

型號：FEI Helios 600i

技術指標：

1.二次電子像分辨率：0.9nm（15kV），1.4nm（1kV）

2.放大倍數：40~600000

3.加速電壓：0.5~30kV

4.Ga離子成像分辨率4nm(30kV)

配置情況：

1.EDS能譜儀

2.納米機械手

3.氣體沉積針

擅長領域：

無機、金屬、半導體、磁性多層膜及納米加工

Heilos Nanolab 600i非常適用于TEM透射電鏡樣品制備、SEM掃描電子顯微鏡結構分析、微納結構加工，在微納結構操作機械手、Omniprobe操作探針、離子束切割等的配合下，可以進行各種微納材料的搬運、各種微納結構形狀或圖案的加工。
總機時數量：500h/年，預約周期1周內；
1）常規加工
SEM-FIB 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
SEM-FIB加工 X<20 2000 2000*X
SEM-FIB加工 30 1500 45000
SEM-FIB加工 50 1300 65000
2）TEM制樣
TEM制樣 機時數（h） 單價（元） 總價（元）
FIB制樣 X<10 5000 5000*X
FIB制樣 10 4000 40000
FIB制樣 20 3500 70000
  • 北京檢測項目報價
  • 天津檢測項目報價
  • 無錫檢測項目報價
設備名稱 廠家 型號 地區 報價 預存優惠
場發射掃描電子顯微鏡 美國FEI XL30 S-FEG 北京 形貌及成分分析:500/h 最低可至260/h
高分辨透射電子顯微鏡 美國FEI FEI F20 HRTEM 北京 透射形貌、成分分析:900/h;整包服務:3000/pcs 最低可至600/h
球差矯正透射電鏡 日本電子 JEM-ARM200F 北京 透射電鏡觀察:3000/h;整包分析服務:8000/樣 最低可至2000/h
FIB-SEM雙束系統 德國蔡司 Zeiss Cross Beam 540 北京 FIB-SEM加工:1500/h;透射制樣:5000/pcs;三維重構:20000/case 最低可至1100/h
FIB-HIM三束系統 德國蔡司 Zeiss Orion NanoFab 北京 FIB-HIM加工:2000/h;三維重構:20000/case 最低可至1100/h
常溫超薄切片 萊卡 Lecia UCT 北京 生物透射樣制備:1500/h 最低1000
冷凍超薄切片 萊卡 Lecia EM FCS 北京 生物透射樣制備:2500/pcs 最低2000
高分辨透射電鏡 美國FEI F30 北京 形貌、能譜、EELS:1000/h 最低600
設備名稱 廠家 型號 地區 報價 預存優惠
聚光鏡球差校正透射電鏡 美國FEI Titan Cubed Themis G2 300 天津 3500/h，8000/樣（保樣） 最低可至2000/h
高分辨場發射透射電鏡 美國FEI Talos F200X 天津 透射形貌、成分分析:1000/h;整包服務:3000/pcs 最低可至700/h
LaB6透射電鏡 美國FEI Tecnai G2 Spirit TWIN 天津 透射形貌分析:700/h;生物透射樣:800/h 最低可至400/h,生物500/h
高分辨場發射掃描電鏡 美國FEI Verios 460L 天津 形貌分析:800/h 最低可至500/h
FIB-SEM雙束系統 美國FEI Heilos NanoLab 460HP 天津 FIB-SEM加工:2000/h;透射樣品制備:5000/case 最低可至1300/h
FIB-SEM雙束系統 德國蔡司 Zeiss Crossbeam 天津 FIB-SEM加工:2000/h;透射樣品制備:5000/pcs 最低1300/h
離子束刻蝕及鍍膜 Gatan PECS II 天津 截面樣品制備:1000/pcs;鍍膜:300/次 最低300/h、500/pcs
環境場掃描電鏡 美國FEI Quanta FEG250 天津 普通掃描電鏡:500/h;生物樣形貌分析(水蒸氣):800/h 最低400/h、500/h
設備名稱 廠家 型號 地區 報價 預存優惠
聚焦離子束系統FIB-SEM 美國FEI FEI Scios DualBeam 無錫 形貌、成分分析:2000/h;透射樣品制備:5000/pcs 最低可至1300/h
球差校正透射電鏡 美國FEI FEI Themis Z 無錫 形貌、成分分析:3500/h;整包服務:8000/pcs 最低可至2000/h
高分辨率透射電子顯微鏡 美國FEI FEI Talos 200 呼和浩特 透射形貌、成分:1000/h;整包分析:3000/pcs 最低可至700/h
聚焦離子束系統FIB-SEM 美國FEI FEI Helios 600i 合肥 FIB-SEM加工:2000/h;透射樣品制備:5000/pcs 最低可至1300/h
生物電鏡樣品制備及表征預約表.docx

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米格實驗室-FIB&電鏡需求模板.pptx

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原位掃描電鏡預約表-V1.docx

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